晶體管

TK13A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK13A65U(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK13E25D,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 102W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK14A45DA(STA4,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 13.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 410mOhm @ 6.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK14A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 14A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK14A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 370mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK14A65W5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK14A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK14C65W5,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I2PAK
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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TK14C65W,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I2PAK
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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TK14E65W5,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK14E65W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK14G65W5,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TK14G65W,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TK14N65W5,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247
• 包裝/箱: TO-247-3

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TK14N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 690µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247
• 包裝/箱: TO-247-3

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TK15A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 15A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK15A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 370mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK15A60U(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK15J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 170W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3P(N)
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

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TK15S04N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 46W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK160F10N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10100pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: 175°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-220SM(W)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TK16A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK16A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1.5mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK16A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK16A60W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK16C60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I2PAK
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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TK16E60W5,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 790µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK16E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 130W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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