晶體管

型號	描述	庫存
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,308
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N) 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存2,214
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 15.8A TO247 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,526
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8) 包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad	庫存4,644
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存15,156
TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,064
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,088
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,786
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,068
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,752
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,642
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 630µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存20,988
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,304
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,282
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,344
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,478
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,964
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,578
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,678
TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 20A D2PAK 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,964
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N) 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存7,704
TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,110
TK20N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 165W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,220
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 985pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 27W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,698
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK+ 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,014
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK+ 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,156
TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8) 包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad	庫存8,694
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 20A 5DFN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8) 包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad	庫存2,376
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 52A TO-220 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220SIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,526
TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 100V 52A TO220 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 72W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,442

TK16G60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,308

TK16J60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存2,214

TK16N60W,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A TO247

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,526

TK16V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 300V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8)
包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad

庫存4,644

TK17A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存15,156

TK17E65W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,064

TK17E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,088

TK17N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,786

TK18A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,068

TK18E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,752

TK19A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,642

TK1K2A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 630µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存20,988

TK1K9A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,304

TK20A25D,S5Q(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,282

TK20A60U(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,344

TK20A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,478

TK20A60W,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,964

TK20C60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,578

TK20E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,678

TK20G60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,964

TK20J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存7,704

TK20N60W5,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,110

TK20N60W,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 165W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,220

TK20P04M1,RQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 985pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,698

TK20S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK+
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,014

TK20S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK+
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,156

TK20V60W5,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8)
包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad

庫存8,694

TK20V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 20A 5DFN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: DTMOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 300V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8)
包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad

庫存2,376

TK22A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 52A TO-220

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220SIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,526

TK22E10N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 52A TO220

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 72W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,442

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