晶體管

APTGT150SK60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 225A 480W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 225A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT150TA60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Phase
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 225A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6-P

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APTGT150TDU60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Triple, Dual - Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 225A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6-P

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APTGT150TL60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200A120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
• 功率-最大: 1040W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 6mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT200A120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 280A
• 功率-最大: 890W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200A170D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 17nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT200A602G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 625W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP2
• 供應商設備包裝: SP2

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APTGT200A60T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 750W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT200A60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 625W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT200DA120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 300A 1050W D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
• 功率-最大: 1050W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 6mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT200DA120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 280A 890W SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 280A
• 功率-最大: 890W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200DA170D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 400A 1250W D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 17nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT200DA60T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 290A SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 750W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT200DA60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 290A 625W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 625W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT200DH120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Asymmetrical Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 280A
• 功率-最大: 890W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200DH60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Asymmetrical Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 625W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200DU120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 280A
• 功率-最大: 890W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200DU60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 625W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT200H120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 280A
• 功率-最大: 890W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200H60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 625W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200SK120D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 300A 1050W D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
• 功率-最大: 1050W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 6mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT200SK120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 280A 890W SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 280A
• 功率-最大: 890W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 14nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT200SK170D3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 400A 1250W D3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400A
• 功率-最大: 1250W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 17nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D-3 Module
• 供應商設備包裝: D3

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APTGT200SK60T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 290A SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 750W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT200SK60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 290A 625W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 290A
• 功率-最大: 625W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.3nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT200TL60G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300A
• 功率-最大: 652W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 12.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT20A60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 功率-最大: 62W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP1
• 供應商設備包裝: SP1

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APTGT20DDA60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual Boost Chopper
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 功率-最大: 62W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT20DSK60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual Buck Chopper
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 功率-最大: 62W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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