晶體管

MCH6122-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 3A MCPH6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 6-MCPH

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MCH6122-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 3A MCPH6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 6-MCPH

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MCH6123-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 3A MCPH6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 390MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 6-MCPH

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MCH6124-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 3A MCPH6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 6-MCPH

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MCH6202-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 225mV @ 15mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 6-MCPH

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MCP718-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DFN2020-3

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN2020-3

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MD1802FX

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5.5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 57W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT218FX
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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MD1803DFP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 10A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1.25A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5.5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FP

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MD1803DFX

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1.25A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5.5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 57W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT218FX
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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MD2001FX

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 12A ISOWATT218FX

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 4.5 @ 6A, 5V
• 功率-最大: 58W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT218FX
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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MD2009DFP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 10A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5.5A, 5V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack

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MD2009DFX

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5.5A, 5V
• 功率-最大: 58W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT218FX
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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MD2103DFP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 6A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 750mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 6.5 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 38W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FP

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MD2103DFX

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 6A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 750mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 6.5 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 52W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT218FX
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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MD2310FX

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 14A TO-3PF

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 1.75A, 7A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 6 @ 7A, 5V
• 功率-最大: 62W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT218FX
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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MJ11012G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 300mA, 30A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 20A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11015G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 120V 30A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 300mA, 30A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 20A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11016

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 300mA, 30A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 20A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11016G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 300mA, 30A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 20A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11021

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 10A, 5V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11021G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 10A, 5V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11022

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 10A, 5V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11022G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 10A, 5V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ11028G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 25A, 5V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ11030

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 25A, 5V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ11030G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 25A, 5V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ11032

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 25A, 5V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ11032G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 25A, 5V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ11033G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 120V 50A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 25A, 5V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ14001G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 60A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 12A, 60A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 50A, 3V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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