晶體管

MJ14002G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 60A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 12A, 60A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 50A, 3V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AE
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ15001

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15001G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15002

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15002G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15003G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 20A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5A, 2V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15004G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 20A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5A, 2V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15011G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 10A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15015G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 15A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 7A, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 180W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15016G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 120V 15A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 7A, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 115W
• 頻率-過渡: 18MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15022G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 4V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15023G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 4V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15024G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 4V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ15025G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 4V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ21193G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ21194G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ21195G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ21196G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ2501

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 50mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 3V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ2955

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 15A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 115W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ2955

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 115W
• 頻率-過渡: 2.5MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ2955G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 15A TO-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 115W
• 頻率-過渡: 2.5MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ3001

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 10A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 50mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 3V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ4032

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 16A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 40mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 3mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 10A, 3V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ4035

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 16A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 80mA, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 3mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 10A, 3V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ4502G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 30A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 7.5A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJ802

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 90V 30A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 7.5A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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MJ802G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 90V 30A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 7.5A, 2V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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MJB41C

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 6A D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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MJB41CG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 6A D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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