晶體管

SBCX19LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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SBF720T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.1A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 25mA, 20V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)

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SBSP52T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)

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SDBN500B01-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500MQ SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 20mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 1V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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SE9300

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN BIPOLAR TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 7.5A, 3V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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SE9301

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN BIPOLAR TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 7.5A, 3V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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SE9302

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN BIPOLAR TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 7.5A, 3V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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SE9400

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP BIPOLAR TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 7.5A, 3V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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SE9401

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP BIPOLAR TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 7.5A, 3V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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SE9402

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP BIPOLAR TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 7.5A, 3V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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SFT1202-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 165mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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SFT1202-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 165mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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SGSD100

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 10A, 3V
• 功率-最大: 130W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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SGSD200

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 10A, 3V
• 功率-最大: 130W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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SJD112T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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SJD127T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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SJD127T4G-VF01

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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SJD32CT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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SJD32CT4G-VF01

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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SMBT2222AE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBT2907AE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBT35200MT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 310mV @ 20mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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SMBT 3904 B5003

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

加入購物車更新到購物車

SMBT3904E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBT3904E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBT 3906 B5003

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBT3906E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBT 3906 E6767

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBTA06E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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SMBTA06E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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