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晶體管

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頁面 812/2164
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型號
描述
庫存
數量
SI3951DV-T1-E3
SI3951DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 115mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.1nC @ 5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 250pF @ 10V
  • 功率-最大: 2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存2,106
SI3951DV-T1-GE3
SI3951DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 115mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.1nC @ 5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 250pF @ 10V
  • 功率-最大: 2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存6,552
SI3981DV-T1-E3
SI3981DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.6A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 800mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存6,696
SI3981DV-T1-GE3
SI3981DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.6A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 800mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存5,670
SI3983DV-T1-E3
SI3983DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.1A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 830mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存2,574
SI3983DV-T1-GE3
SI3983DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.1A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 830mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存3,060
SI3993CDV-T1-GE3
SI3993CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.9A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 210pF @ 15V
  • 功率-最大: 1.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存59,334
SI3993DV-T1-E3
SI3993DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 133mOhm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 830mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存8,694
SI3993DV-T1-GE3
SI3993DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 133mOhm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 830mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存7,848
SI4200DY-T1-GE3
SI4200DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 7.3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 415pF @ 13V
  • 功率-最大: 2.8W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存23,910
SI4202DY-T1-GE3
SI4202DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12.1A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 17nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 710pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.7W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存8,028
SI4204DY-T1-GE3
SI4204DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 19.8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 45nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2110pF @ 10V
  • 功率-最大: 3.25W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存24,054
SI4210DY-T1-GE3
SI4210DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 445pF @ 15V
  • 功率-最大: 2.7W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存6,552
SI4214DDY-T1-E3
SI4214DDY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 22nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 660pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存8,694
SI4214DDY-T1-GE3
SI4214DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 22nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 660pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存6,462
SI4214DY-T1-GE3
SI4214DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 23.5mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 23nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 785pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存6,894
SI4226DY-T1-E3
SI4226DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 36nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1255pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存5,346
SI4226DY-T1-GE3
SI4226DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 36nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1255pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存3,024
SI4228DY-T1-E3
SI4228DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 25nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 790pF @ 12.5V
  • 功率-最大: 3.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存2,052
SI4228DY-T1-GE3
SI4228DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 25nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 790pF @ 12.5V
  • 功率-最大: 3.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存7,884
SI4230DY-T1-GE3
SI4230DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20.5mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 25nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 950pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存8,424
SI4276DY-T1-E3
SI4276DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1000pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.6W, 2.8W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存2,160
SI4276DY-T1-GE3
SI4276DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 26nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1000pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.6W, 2.8W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存5,112
SI4286DY-T1-GE3
SI4286DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10.5nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 375pF @ 20V
  • 功率-最大: 2.9W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存19,326
SI4288DY-T1-GE3
SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 9.2A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 580pF @ 20V
  • 功率-最大: 3.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存133,848
SI4310BDY-T1-E3
SI4310BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A, 9.8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2370pF @ 15V
  • 功率-最大: 1.14W, 1.47W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 14-SOIC
庫存5,508
SI4330DY-T1-E3
SI4330DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.6A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 1.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存6,498
SI4330DY-T1-GE3
SI4330DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.6A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 1.1W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存8,136
SI4340CDY-T1-E3
SI4340CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 14.1A, 20A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 9.4mOhm @ 11.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 32nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1300pF @ 10V
  • 功率-最大: 3W, 5.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 14-SOIC
庫存8,334
SI4340DY-T1-E3
SI4340DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.3A, 9.9A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 12mOhm @ 9.6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 1.14W, 1.43W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 14-SOIC
庫存2,124