晶體管

型號	描述	庫存
SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A, 11.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 946pF @ 15V 功率-最大: 3.3W, 3.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,226
SI4388DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A, 11.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 946pF @ 15V 功率-最大: 3.3W, 3.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,760
SI4500BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,194
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,510
SI4501ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 4.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,950
SI4501ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 4.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,760
SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 15V 功率-最大: 4.5W, 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存3,960
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,454
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,496
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A, 4.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,436
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A, 4.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,994
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.13W, 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,586
SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.13W, 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,366
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 305pF @ 15V 功率-最大: 2.78W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,898
SI4532DY ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A, 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 10V 功率-最大: 900mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存19,758
SI4539ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,604
SI4539ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存34,649
SI4542DY ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存45,438
SI4542DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,608
SI4542DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,020
SI4544DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,964
SI4544DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,264
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 20V 功率-最大: 3.1W, 3.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,862
SI4559ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A, 3.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 665pF @ 15V 功率-最大: 3.1W, 3.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存268,674
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A, 3.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 665pF @ 15V 功率-最大: 3.1W, 3.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存623,220
SI4561DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 7.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 20V 功率-最大: 3W, 3.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,460
SI4561DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 7.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 20V 功率-最大: 3W, 3.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,194
SI4562DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,662
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,460
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 20V 功率-最大: 3.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,438

SI4388DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A, 11.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 946pF @ 15V
功率-最大: 3.3W, 3.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,226

SI4388DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A, 11.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 946pF @ 15V
功率-最大: 3.3W, 3.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,760

SI4500BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,194

SI4500BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,510

SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 4.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,950

SI4501ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 4.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,760

SI4501BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 15V
功率-最大: 4.5W, 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存3,960

SI4505DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,454

SI4505DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V, 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,496

SI4511DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A, 4.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,436

SI4511DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A, 4.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,994

SI4532ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.13W, 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,586

SI4532ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.13W, 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,366

SI4532CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 305pF @ 15V
功率-最大: 2.78W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,898

SI4532DY

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A, 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 10V
功率-最大: 900mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存19,758

SI4539ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,604

SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存34,649

SI4542DY

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存45,438

SI4542DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,608

SI4542DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,020

SI4544DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,964

SI4544DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,264

SI4554DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 20V
功率-最大: 3.1W, 3.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,862

SI4559ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A, 3.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 665pF @ 15V
功率-最大: 3.1W, 3.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存268,674

SI4559ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A, 3.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 665pF @ 15V
功率-最大: 3.1W, 3.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存623,220

SI4561DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 7.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 20V
功率-最大: 3W, 3.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,460

SI4561DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 7.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 20V
功率-最大: 3W, 3.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,194

SI4562DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,662

SI4562DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,460

SI4563DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 20V
功率-最大: 3.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,438

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