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晶體管

記錄 64,903
頁面 831/2164
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型號
描述
庫存
數量
SP8M8FU6TB
SP8M8FU6TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A, 4.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10.1nC @ 5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 520pF @ 10V
  • 功率-最大: 2W
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOP
庫存8,370
SP8M8TB
SP8M8TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A, 4.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.2nC @ 5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 520pF @ 10V
  • 功率-最大: 2W
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOP
庫存7,560
SP8M9FU6TB
SP8M9FU6TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 9A, 5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 21nC @ 5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1190pF @ 10V
  • 功率-最大: 2W
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOP
庫存7,866
SP8M9TB
SP8M9TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 9A, 5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 21nC @ 5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1190pF @ 10V
  • 功率-最大: 2W
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOP
庫存6,282
SQ1539EH-T1_GE3
SQ1539EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 850mA (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
  • 功率-最大: 1.5W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Dual
庫存8,820
SQ1563AEH-T1_GE3
SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 850mA (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.5W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Dual
庫存7,200
SQ1902AEL-T1_GE3
SQ1902AEL-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 780mA (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 75pF @ 10V
  • 功率-最大: 430mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Dual
庫存4,554
SQ1912AEEH-T1_GE3
SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 800mA (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 27pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.5W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Dual
庫存24,078
SQ1912EH-T1_GE3
SQ1912EH-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 800mA (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 75pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.5W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-70-6
庫存4,842
SQ1922AEEH-T1_GE3
SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 850mA (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 60pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.5W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-70-6
庫存26,754
SQ1922EEH-T1_GE3
SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V SC70-6

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 840mA (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 50pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.5W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-70-6
庫存71,496
SQ3585EV-T1_GE3
SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 1.67W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存5,562
SQ3985EV-T1_GE3
SQ3985EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.9A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 145mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 350pF @ 10V
  • 功率-最大: 3W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存8,784
SQ3987EV-T1_GE3
SQ3987EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.2nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 570pF @ 15V
  • 功率-最大: 1.67W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存46,404
SQ3989EV-T1_GE3
SQ3989EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.5A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 11.1nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 1.67W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存4,842
SQ4282EY-T1_GE3
SQ4282EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 12.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 47nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2367pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.9W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOIC
庫存6,588
SQ4284EY-T1_GE3
SQ4284EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 45nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2200pF @ 25V
  • 功率-最大: 3.9W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存5,400
SQ4532AEY-T1_GE3
SQ4532AEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: N and P-Channel
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
  • 功率-最大: 3.3W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOIC
庫存2,628
SQ4917EY-T1_GE3
SQ4917EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 65nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1910pF @ 30V
  • 功率-最大: 5W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存4,104
SQ4920EY-T1_GE3
SQ4920EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 30nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1465pF @ 15V
  • 功率-最大: 4.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存25,248
SQ4937EY-T1_GE3
SQ4937EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 480pF @ 25V
  • 功率-最大: 3.3W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOIC
庫存23,922
SQ4940AEY-T1_GE3
SQ4940AEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 43nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 741pF @ 20V
  • 功率-最大: 4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOIC
庫存6,444
SQ4946AEY-T1_GE3
SQ4946AEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 7A

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 750pF @ 25V
  • 功率-最大: 4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存7,542
SQ4946EY-T1-E3
SQ4946EY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 30nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 2.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存3,672
SQ4949EY-T1_GE3
SQ4949EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 30nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1020pF @ 25V
  • 功率-最大: 3.3W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOIC
庫存2,844
SQ4961EY-T1_GE3
SQ4961EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 P-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.4A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 40nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1140pF @ 25V
  • 功率-最大: 3.3W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存7,362
SQ9945AEY-T1-E3
SQ9945AEY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 2.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存4,680
SQ9945BEY-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5.4A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 470pF @ 25V
  • 功率-最大: 4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存6,786
SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 20A, 60A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 975pF @ 10V
  • 功率-最大: 27W, 48W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
  • 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
庫存5,310
SQJ202EP-T1_GE3
SQJ202EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 12V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 20A, 60A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 22nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 975pF @ 6V
  • 功率-最大: 27W, 48W
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
  • 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
庫存27,372