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EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

僅供參考

型號 EPC2106ENGRT
PNEDA編號 EPC2106ENGRT
描述 GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 62,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2106ENGRT資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2106ENGRT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EPC2106ENGRT, EPC2106ENGRT數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,564.58 KB)
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EPC2106ENGRT規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 600µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.73nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 50V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

375pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

278A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

功率-最大

780W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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15nC @ 4.5V

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