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NTHD3100CT3

NTHD3100CT3

僅供參考

型號 NTHD3100CT3
PNEDA編號 NTHD3100CT3
描述 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHD3100CT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHD3100CT3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTHD3100CT3, NTHD3100CT3數據表 (總頁數: 8, 大小: 138.04 KB)
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NTHD3100CT3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 3.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds165pF @ 10V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

713pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 20mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 5V

功率-最大

300mW

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 8V

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