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SI1900DL-T1-GE3

SI1900DL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1900DL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1900DL-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1900DL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1900DL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1900DL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)630mA (Ta), 590mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 590mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大300mW, 270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

490nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9500pF @ 1000V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

984pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

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30nC @ 4.5V

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