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2N3866A

2N3866A

僅供參考

型號 2N3866A
PNEDA編號 2N3866A
描述 RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3866A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3866A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2N3866A規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡400MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

11dB ~ 21.5dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 80mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

15.5dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 2GHz

增益

18dB

功率-最大

60mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益

7dB ~ 10dB

功率-最大

130mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

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125 @ 7mA, 3V

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100mA

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