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2SCR372P5T100R

2SCR372P5T100R

僅供參考

型號 2SCR372P5T100R
PNEDA編號 2SCR372P5T100R
描述 NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 9 - 三月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR372P5T100R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR372P5T100R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SCR372P5T100R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡220MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

420mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 500mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 15A, 4V

功率-最大

125W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

130mV @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

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安裝類型

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

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