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2SK3320-Y(TE85L,F)

2SK3320-Y(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SK3320-Y(TE85L,F)
PNEDA編號 2SK3320-Y-TE85L-F
描述 JFET DUAL N-CH USV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價
1 ---------- $12.6364
100 ---------- $12.0441
250 ---------- $11.4518
500 ---------- $10.8594
750 ---------- $10.3658
1,000 ---------- $9.8722
庫存 11,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3320-Y(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3320-Y(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2SK3320-Y(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.2mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID200mV @ 100nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大200mW
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝USV

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.8V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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7pF @ 15V

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