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68106H

68106H

僅供參考

型號 68106H
PNEDA編號 68106H
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

68106H資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號68106H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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68106H規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

300MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

增益

-

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-89, SOT-490

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2.25V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.85dB @ 5.5GHz

增益

18.5dB

功率-最大

75mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 10mA, 1.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

13.5dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-343F

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

10dB ~ 18dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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