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ALD1101BSAL

ALD1101BSAL

僅供參考

型號 ALD1101BSAL
PNEDA編號 ALD1101BSAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1101BSAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1101BSAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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ALD1101BSAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

功率-最大

380mW

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

375pF @ 20V

功率-最大

2.9W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4507pF @ 25V

功率-最大

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Vgs(th)(最大)@ ID

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