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NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G

僅供參考

型號 NTZD3152PT1G
PNEDA編號 NTZD3152PT1G
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 308,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTZD3152PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTZD3152PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTZD3152PT1G, NTZD3152PT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 118.97 KB)
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NTZD3152PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)430mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds175pF @ 16V
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 10V

功率-最大

2.36W, 2.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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