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APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

僅供參考

型號 APT50GS60BRDQ2G
PNEDA編號 APT50GS60BRDQ2G
描述 IGBT 600V 93A 415W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 22,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GS60BRDQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GS60BRDQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GS60BRDQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)93A
電流-集電極脈沖(Icm)195A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.15V @ 15V, 50A
功率-最大415W
開關能量755µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用235nC
25°C時的Td(開/關)16ns/225ns
測試條件400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)25ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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1400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

650µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

-/150ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

340.9W

開關能量

450µJ (on), 550µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

138nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/170ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

468W

開關能量

690µJ (on), 2.54mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

47ns/125ns

測試條件

400V, 75A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

165ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

47A

電流-集電極脈沖(Icm)

54A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 18A

功率-最大

206W

開關能量

95µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 18A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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