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APTC60DDAM45T1G

APTC60DDAM45T1G

僅供參考

型號 APTC60DDAM45T1G
PNEDA編號 APTC60DDAM45T1G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60DDAM45T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60DDAM45T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60DDAM45T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)49A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7200pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 22µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3050pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

320mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1454pF @ 6V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

340mA, 235mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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