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APTC60HM70BT3G

APTC60HM70BT3G

僅供參考

型號 APTC60HM70BT3G
PNEDA編號 APTC60HM70BT3G
描述 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60HM70BT3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60HM70BT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60HM70BT3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)39A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2.7mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs259nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

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