SI4931DY-T1-GE3
僅供參考
| 型號 | SI4931DY-T1-GE3 |
| PNEDA編號 | SI4931DY-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 143,496 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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SI4931DY-T1-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SI4931DY-T1-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SI4931DY-T1-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET類型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 12V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 6.7A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1V @ 350µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 52nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 功率-最大 | 1.1W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供應商設備包裝 | 8-SO |
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