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APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

僅供參考

型號 APTM120A29FTG
PNEDA編號 APTM120A29FTG
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM120A29FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM120A29FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM120A29FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A
Rds On(Max)@ Id,Vgs348mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs374nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10300pF @ 25V
功率-最大780W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 9µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

功率-最大

29W

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V

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