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APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

僅供參考

型號 APTM120A80FT1G
PNEDA編號 APTM120A80FT1G
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM120A80FT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM120A80FT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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APTM120A80FT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A
Rds On(Max)@ Id,Vgs960mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs260nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6696pF @ 25V
功率-最大357W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A, 40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 15V

功率-最大

5W, 4.1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43.2pF @ 15V

功率-最大

285mW

工作溫度

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219A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 30mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

483nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 1000V

功率-最大

925W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

308nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8700pF @ 25V

功率-最大

694W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

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