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BF776H6327XTSA1

BF776H6327XTSA1

僅供參考

型號 BF776H6327XTSA1
PNEDA編號 BF776H6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 24,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BF776H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BF776H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BF776H6327XTSA1, BF776H6327XTSA1數據表 (總頁數: 6, 大小: 504.44 KB)
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BF776H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.7V
頻率-過渡46GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益24dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 30mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝PG-SOT343-4

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 5mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

1.3W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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