BSG0811NDATMA1
僅供參考
型號 | BSG0811NDATMA1 |
PNEDA編號 | BSG0811NDATMA1 |
描述 | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON |
制造商 | Infineon Technologies |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 3,006 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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BSG0811NDATMA1資源
品牌 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | BSG0811NDATMA1 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-陣列 |
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BSG0811NDATMA1規格
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | OptiMOS™ |
FET類型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET功能 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
漏極至源極電壓(Vdss) | 25V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 19A, 41A |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 2V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 1100pF @ 12V |
功率-最大 | 2.5W |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 8-PowerTDFN |
供應商設備包裝 | PG-TISON-8 |
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