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CAT25256LI-G

CAT25256LI-G

僅供參考

型號 CAT25256LI-G
PNEDA編號 CAT25256LI-G
描述 IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CAT25256LI-G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CAT25256LI-G
類別半導體內存IC內存
數據表
CAT25256LI-G, CAT25256LI-G數據表 (總頁數: 22, 大小: 381.95 KB)
PDFCAT25256ZD2I-GT2數據表 封面
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CAT25256LI-G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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55ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存大小

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

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