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CMUT5551E TR

CMUT5551E TR

僅供參考

型號 CMUT5551E TR
PNEDA編號 CMUT5551E-TR
描述 TRANS PNP
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMUT5551E TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMUT5551E TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CMUT5551E TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)220V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 10mA, 5V
功率-最大250mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

200MHz

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 300mA, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 30A, 5V

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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