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CPH3910-TL-E

CPH3910-TL-E

僅供參考

型號 CPH3910-TL-E
PNEDA編號 CPH3910-TL-E
描述 MOSFET N-CH 25V .04A CPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 127,476
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH3910-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH3910-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
CPH3910-TL-E, CPH3910-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 572.31 KB)
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CPH3910-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1.8V @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大400mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-CPH

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

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安裝類型

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 15V

電阻-RDS(On)

75 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.2pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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