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CY7C1061GN30-10ZXIT

CY7C1061GN30-10ZXIT

僅供參考

型號 CY7C1061GN30-10ZXIT
PNEDA編號 CY7C1061GN30-10ZXIT
描述 IC SRAM 16M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1061GN30-10ZXIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1061GN30-10ZXIT
類別半導體內存IC內存

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CY7C1061GN30-10ZXIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

制造商

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系列

MX25xxx35/36 - MXSMIO™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

30µs, 1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (16K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

256-LBGA

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256-CABGA (17x17)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EERAM

技術

EEPROM, SRAM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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