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DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

僅供參考

型號 DMN53D0LDW-7
PNEDA編號 DMN53D0LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 1,208,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN53D0LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN53D0LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN53D0LDW-7, DMN53D0LDW-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 262.88 KB)
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DMN53D0LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)360mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds46pF @ 25V
功率-最大310mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 24V

功率-最大

60W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.57A (Tc), 2.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.67W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 12A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 15V

功率-最大

6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1286pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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11.7A, 14.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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