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DMN5L06DMKQ-7

DMN5L06DMKQ-7

僅供參考

型號 DMN5L06DMKQ-7
PNEDA編號 DMN5L06DMKQ-7
描述 MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價
1 ---------- $15.6520
100 ---------- $14.9183
250 ---------- $14.1846
500 ---------- $13.4509
750 ---------- $12.8395
1,000 ---------- $12.2281
庫存 3,872
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN5L06DMKQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN5L06DMKQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN5L06DMKQ-7, DMN5L06DMKQ-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 602.8 KB)
PDFDMN5L06DMKQ-7數據表 封面
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DMN5L06DMKQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)305mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
功率-最大400mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-26

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A, 8.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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11.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V, 1330pF @ 10V

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