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DMT2005UDV-13

DMT2005UDV-13

僅供參考

型號 DMT2005UDV-13
PNEDA編號 DMT2005UDV-13
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT2005UDV-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT2005UDV-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMT2005UDV-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs46.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2060pF @ 10V
功率-最大900mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc), 9.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V, 15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V, 600pF @ 25V

功率-最大

27W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® SO-8 Dual

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8 Dual

IRF9389TRPBF

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Infineon Technologies

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

398pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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IRF7313TRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 15V

功率-最大

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