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DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

僅供參考

型號 DMT3020LFDB-13
PNEDA編號 DMT3020LFDB-13
描述 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT3020LFDB-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT3020LFDB-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMT3020LFDB-13, DMT3020LFDB-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 420.86 KB)
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DMT3020LFDB-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.7A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds393pF @ 15V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 145A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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