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DMT47M2LDVQ-7

DMT47M2LDVQ-7

僅供參考

型號 DMT47M2LDVQ-7
PNEDA編號 DMT47M2LDVQ-7
描述 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT47M2LDVQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT47M2LDVQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMT47M2LDVQ-7, DMT47M2LDVQ-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 486.2 KB)
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DMT47M2LDVQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

867pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 9V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

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