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DTC614TUT106

DTC614TUT106

僅供參考

型號 DTC614TUT106
PNEDA編號 DTC614TUT106
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC614TUT106資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC614TUT106
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC614TUT106, DTC614TUT106數據表 (總頁數: 3, 大小: 935.43 KB)
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DTC614TUT106規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce820 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡150MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝UMT3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

202mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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