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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

僅供參考

型號 EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
PNEDA編號 EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR, EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR數據表 (總頁數: 137, 大小: 12,382.97 KB)
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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小4Gb (128M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-WFBGA
供應商設備包裝134-FBGA (10x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存接口

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時鐘頻率

-

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安裝類型

-

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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FLASH - NAND

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512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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