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EDF8164A3PK-GD-F-R TR

EDF8164A3PK-GD-F-R TR

僅供參考

型號 EDF8164A3PK-GD-F-R TR
PNEDA編號 EDF8164A3PK-GD-F-R-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDF8164A3PK-GD-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDF8164A3PK-GD-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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EDF8164A3PK-GD-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小8Gb (128M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-WFBGA
供應商設備包裝216-FBGA (12x12)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

17ns

訪問時間

17ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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