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EM6K31T2R

EM6K31T2R

僅供參考

型號 EM6K31T2R
PNEDA編號 EM6K31T2R
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EM6K31T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EM6K31T2R
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EM6K31T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 25V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 40V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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