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EMG2DXV5T1G

EMG2DXV5T1G

僅供參考

型號 EMG2DXV5T1G
PNEDA編號 EMG2DXV5T1G
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMG2DXV5T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMG2DXV5T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
EMG2DXV5T1G, EMG2DXV5T1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 110.58 KB)
PDFEMG2DXV5T5數據表 封面
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EMG2DXV5T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大230mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-553
供應商設備包裝SOT-553

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

-

功率-最大

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Panasonic Electronic Components

制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

2 PNP Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 47kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

270mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

頻率-過渡

230MHz

功率-最大

480mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-XFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

DFN1412-6

PBLS6005D,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

185MHz

功率-最大

600mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

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