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EMX52T2R

EMX52T2R

僅供參考

型號 EMX52T2R
PNEDA編號 EMX52T2R
描述 TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMX52T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMX52T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
EMX52T2R, EMX52T2R數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,278.48 KB)
PDFEMX52T2R數據表 封面
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EMX52T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡350MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

ULN2003ADRE4

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制造商

系列

-

晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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Surface Mount

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16-SOIC

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

ES6

PBSS4032SP,115

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制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

510mV @ 250mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2.3W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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