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HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

僅供參考

型號 HN1B04FE-Y,LF
PNEDA編號 HN1B04FE-Y-LF
描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1B04FE-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1B04FE-Y,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN1B04FE-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 6V
功率-最大100mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 4mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 4V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 10mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

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