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F1T4G R0G

F1T4G R0G

僅供參考

型號 F1T4G R0G
PNEDA編號 F1T4G-R0G
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F1T4G R0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F1T4G R0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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F1T4G R0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-213AA

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

PMDS

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150°C (Max)

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