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FDG6303N

FDG6303N

僅供參考

型號 FDG6303N
PNEDA編號 FDG6303N
描述 MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 1,546,062
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6303N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6303N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6303N, FDG6303N數據表 (總頁數: 8, 大小: 266.53 KB)
PDFFDG6303N數據表 封面
FDG6303N數據表 頁面 2 FDG6303N數據表 頁面 3 FDG6303N數據表 頁面 4 FDG6303N數據表 頁面 5 FDG6303N數據表 頁面 6 FDG6303N數據表 頁面 7 FDG6303N數據表 頁面 8

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FDG6303N規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA, 460mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

4-Chip LGA (1.59x1.59)

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制造商

Advanced Linear Devices Inc.

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

TPC8223-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

CAS120M12BM2

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

193A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 6mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

378nC @ 20V

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6300pF @ 1000V

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