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FDS6694

FDS6694

僅供參考

型號 FDS6694
PNEDA編號 FDS6694
描述 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6694資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6694
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS6694, FDS6694數據表 (總頁數: 5, 大小: 116.53 KB)
PDFFDS6694數據表 封面
FDS6694數據表 頁面 2 FDS6694數據表 頁面 3 FDS6694數據表 頁面 4 FDS6694數據表 頁面 5

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FDS6694規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1293pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

FDS7760A

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3514pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SOIC

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRFPC48

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

820mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

IRF634STRLPBF

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2240pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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