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FDY2001PZ

FDY2001PZ

僅供參考

型號 FDY2001PZ
PNEDA編號 FDY2001PZ
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDY2001PZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDY2001PZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDY2001PZ, FDY2001PZ數據表 (總頁數: 6, 大小: 206.22 KB)
PDFFDY2001PZ數據表 封面
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FDY2001PZ規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds100pF @ 10V
功率-最大446mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563F

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

440mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.45pC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 25V

功率-最大

650mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 15V

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

215pF @ 15V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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