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FGA40T65SHD

FGA40T65SHD

僅供參考

型號 FGA40T65SHD
PNEDA編號 FGA40T65SHD
描述 IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGA40T65SHD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGA40T65SHD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGA40T65SHD, FGA40T65SHD數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,487.9 KB)
PDFFGA40T65SHD數據表 封面
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FGA40T65SHD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大268W
開關能量1.01mJ (on), 297µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用72.2nC
25°C時的Td(開/關)19.2ns/65.6ns
測試條件400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)31.8ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3PN

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ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 10A

功率-最大

46W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

39nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 25A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

STGB8NC60KDT4

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制造商

STMicroelectronics

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 3A

功率-最大

65W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

23.5ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

STGW30M65DF2

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

258W

開關能量

300µJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

31.6ns/115ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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