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FR85JR05

FR85JR05

僅供參考

型號 FR85JR05
PNEDA編號 FR85JR05
描述 DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FR85JR05資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FR85JR05
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FR85JR05, FR85JR05數據表 (總頁數: 3, 大小: 784.64 KB)
PDFFR85GR05數據表 封面
FR85GR05數據表 頁面 2 FR85GR05數據表 頁面 3

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FR85JR05規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 85A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-40°C ~ 125°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 219.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB

工作溫度-結點

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2400V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

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