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GD25VQ80CSIGR

GD25VQ80CSIGR

僅供參考

型號 GD25VQ80CSIGR
PNEDA編號 GD25VQ80CSIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25VQ80CSIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25VQ80CSIGR
類別半導體內存IC內存
數據表
GD25VQ80CSIGR, GD25VQ80CSIGR數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD25VQ80CSIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁50µs, 3ms
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

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