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GT60N321(Q)

GT60N321(Q)

僅供參考

型號 GT60N321(Q)
PNEDA編號 GT60N321-Q
描述 IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GT60N321(Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GT60N321(Q)
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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GT60N321(Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 60A
功率-最大170W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)330ns/700ns
測試條件-
反向恢復時間(trr)2.5µs
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PL
供應商設備包裝TO-3P(LH)

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 40A

功率-最大

600W

開關能量

3.87mJ (on), 1.25mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

90ns/226ns

測試條件

600V, 40A, 7.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

340ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

390V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 5A

功率-最大

89W

開關能量

300µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/160ns

測試條件

600V, 5A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

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