GT60N321(Q)
僅供參考
| 型號 | GT60N321(Q) |
| PNEDA編號 | GT60N321-Q |
| 描述 | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,254 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸) |
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GT60N321(Q)資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | GT60N321(Q) |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-單 |
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GT60N321(Q)規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | - |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 1000V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 60A |
| 電流-集電極脈沖（Icm） | 120A |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| 功率-最大 | 170W |
| 開關能量 | - |
| 輸入類型 | Standard |
| 門禁費用 | - |
| 25°C時的Td（開/關） | 330ns/700ns |
| 測試條件 | - |
| 反向恢復時間（trr） | 2.5µs |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | TO-3PL |
| 供應商設備包裝 | TO-3P(LH) |
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